삼성전자가 이달 말 평택 반도체사업장의 본격 가동에 들어가면서 '4세대(64단) 256기가비트(Gb) 3bit V낸드플래시'를 양산한다.

삼성전자는 4세대 V낸드의 안정적인 양산이 가능해짐에 따라 서버, PC, 모바일용 등 낸드 제품 전체로 라인업을 늘리고, 올해 안에 월간 생산 비중을 50% 이상으로 확대해 낸드플래시 시장의 독주 체제를 굳힌다는 방침이다.

삼성전자는 기존 3세대(48단) 대비 성능과 신뢰성을 개선한 4세대 V낸드를 본격 양산한다고 15일 밝혔다.

삼성전자는 지난 1월부터 화성공장에서 4세대 V낸드를 적용한 SSD를 생산했지만 물량이 적어 일부 고객사들에게만 공급했다. 하지만 이달 말 평택공장이 가동되면서 4세대 V낸드 기반 SSD에 이어 모바일용 eUFS, 소비자용 SSD, 메모리카드 등으로 4세대 V낸드를 확대할 수 있게 됐다. 이를 통해 연내 4세대 V낸드 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘리겠다는 계획이다.

V낸드는 수십 개의 단을 쌓아 올려 셀(정보를 저장하는 공간)을 3차원 수직으로 적층하는 데 단수가 높아질수록 구조가 틀어지는 현상이 발생하는 등 물리적 한계가 있다.



이에 삼성전자는 9-홀이라는 초고집적 셀 구조·공정 기술을 개발해 각 층마다 균일한 홀 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 분산해 이 같은 한계를 극복했다.

삼성전자는 4세대 V낸드를 계기로 90단 이상의 수직 적층 한계를 극복해 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 1테라(Tera) 비트 V낸드 시대를 여는 원천 기술도 확보했다고 설명했다.

또한 초고속 동작 회로 설계로 셀에 데이터를 기록하는 속도도 10나노급(Planar, 평면) 낸드 대비 약 4배, 3세대 V낸드보다 약 1.5배 빠른 500μs(마이크로 초, 100만분의 1초)를 달성했다. 동작 전압 또한 3.3V에서 2.5V로 낮춰 총 소비전력 효율도 30% 이상 높였다.

삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 경계현 부사장은 "테라 V낸드 시대를 앞당기기 위해 임직원 모두 혁신적인 기술 개발에 전념했다"며 "향후에도 차세대 제품을 적기에 개발해 글로벌 IT 기업과 소비자의 사용 만족도를 높인 솔루션을 제공하겠다"고 말했다.