삼성전자가 4차 산업혁명시대 반도체 수요에 선제 대응하기 위해 세계 최대 용량의 V낸드 플래시 메모리와 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품군을 공개했다.

이들 낸드플래시 메모리 제품들은 전원이 꺼져도 데이터를 저장할 수 있어 자율주행, 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명시대 다양한 분야에 활용 가능하다.

삼성전자는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017'에서 3차원 셀(cell)의 용량을 기존 512기가비트(Gb)보다 두 배 늘린 1테라비트(Tb) 규모의 낸드를 공개했다.



낸드플래시 반도체는 데이터를 저장하는 셀을 3차원 공간에 수직으로 쌓아서 하나의 칩을 만든다. 1Tb V낸드플래시 16개를 적층하면 하나의 단품 메모리 패키지로 2테라바이트(TB)를 만들 수 있어 SSD 용량을 획기적으로 높일 수 있다.

삼성전자 측은 "1Tb V낸드가 적용된 최대 용량 SSD를 내년 본격 출시할 계획"이라고 밝혔다.

삼성전자는 이날 적층 기술 외에 서버 시스템 내 저장장치의 공간 활용도를 극대화할 수 있는 기술(NGSFF SSD)도 선보였다. 신규 SSD 규격인 NGSFF SSD를 활용하면 동이 시스템 공간에서 저장 용량을 네 배까지 향상시킬 수 있다.

삼성전자는 NGSFF SSD를 올해 4분기부터 양산해 데이터센터 등 다양한 서버 고객을 유치한다는 계획이다.

삼성전자는 이날 성능을 극대화한 하이엔드 SSD 제품 'Z-SSD'도 공개했다. 기존 제품 대비 응답 속도가 일곱 배 빠르고, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 열 두 배까지 향상된 속도를 구현할 수 있는 제품이다.



삼성전자는 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 Z-SSD가 최적의 솔루션이 될 것으로 내다봤다.

키 밸류 SSD도 선보였다. 키 밸류 SSD는 비정형 데이터(숫자가 아닌 텍스트, 동영상 등) 저장에 특화된 신개념 제품이다. 기존 SSD는 데이터 저장시 특정 크기로 변환하는 과정을 거쳐야 했다. 키 밸류 SSD 기술을 적용하면 별도 전환 과정 없이 다양한 데이터를 그대로 저장할 수 있어 입출력 속도를 높이고 SSD 수명도 늘리는 것이 가능하다.

삼성전자 진교영 메모리사업부장은 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응하겠다"고 말했다.

한편 시장조사기관 IHS는 현재 차량용 첨단운전자보조시스템(ADAS)에 쓰이는 낸드플래시 탑재량이 대당 8GB 수준이지만 2020년에는 128GB로 늘어날 것으로 전망했다.