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삼성전자, 中 반도체 굴기 맞서 ‘초격차 전략’ 드라이브

중국의 '반도체 굴기(堀起)'가 현실화되는 가운데 삼성전자가 초격차 전략을 위한 선행 조치로 설비투자 및 첨단 제품 개발·양산에 드라이브를 걸고 있다.

20일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 23일 경기 화성 반도체 공단에서 신공장 기공식을 열고 극자외선(EUV)을 이용한 첨단 공정 전용 반도체 제조 공장 증설에 착수한다. 시설투자규모는 약 6조원 정도로 알려졌다.

중국의 반도체 굴기(堀起)가 현실화 되는 상황 속에 삼성전자가 초격차 전략을 위한 선행 조치로 설비투자를 확대한다. 사진은 삼성전자 화성사업장./삼성전자



삼성전자가 신설하는 공장에는 전 세계 최초로 생산라인에 EUV장비가 도입돼 상용화된다.

EUV는 반도체 회로를 인쇄하는 노광공정에 사용되는 신기술로 기존 미세공정의 한계를 넘을 수 있는 차세대 반도체기술로 꼽힌다.

그러나 EUV장비 1대에 가격이 최대 2000억원대로 고가인 데다, 반도체 생산공정 전반에 대대적 변화가 필요해 기업들이 신기술 도입을 꺼려왔다.

이런 가운데 삼성전자가 가장 먼저 EUV장비 도입으로 상용화에 나설 것으로 예상되면서 '메모리 초격차'를 유지하는 동시에 시스템반도체 사업 확대를 추진할 수 있는 기반을 마련할 것으로 예상된다.

삼성전자는 이르면 내년 중으로 건물을 준공해 설비 도입과 수율 안정화 등을 거친 뒤 2020년부터 제품을 양산을 시작한다는 계획이다. 이를 통해 파운드리(반도체위탁생산) 시장에서 경쟁력을 키우고 세계 2강 지위를 확고히 하겠다는 방침이다.

이와 함께 삼성전자는 경기도 평택 반도체 단지에 제2생산라인을 건설한다.

앞서 지난 7일 삼성전자는 경영위원회를 열고 경기도 평택 반도체공장 제2의 생산라인 건설을 위한 예비 투자 안건을 의결했다. 시설투자 규모는 공개되지 않았지만 평택 1공장에 투입된 30조원 수준이 될 것으로 예상된다.

삼성전자는 지난해부터 중국 시안 2공장 내 낸드플래시 시설도 증설 중에 있다. 올 연말 내 테스트를 시작해 2019년부터 본격 생산에 나선다.

삼성 시안의 1라인에서는 현재 월 10만장 규모의 3D 낸드가 생산되고 있는 것으로 전해진다. 2라인 역시 1라인과 동일한 월 10만장 규모의 생산능력을 갖출 것으로 업계는 내다봤다.

삼성전자가 화성, 평택, 중국 등 3개 거점 시설에 생산라인 투자를 진행하는 건 이례적인 일이다. 업계는 중국의 메모리 시장 진입에 적극적으로 대응하기 위한 것으로 분석한다.

외신에 따르면 애플이 중국 칭화유니그룹의 메모리반도체 계열사인 양쯔메모리와 낸드플래시 공급계약 체결을 논의하고 있는 것으로 알려졌다. 이르면 내년부터 아이폰 등 주력상품에 탑재될 것으로 전해졌다.

이에 대해 황민성 삼성증권 연구원은 "이번에 나온 외신 보도는 중국이 정부 차원에서 추진하는 '입소문 전략' 가운데 하나로 판단된다"며 "중국의 반도체기술이 아직 낮은 수준이라서 요구조건이 까다로운 애플과 실제 납품 협의를 진행중이라고 보는 관점은 현실적이지 않다"고 말했다.

그러나 중국이 그동안 추진해왔던 반도체굴기가 이제 코앞으로 다가왔다는 점에서 대응전략 마련이 시급하다는 업계의 공통된 의견이다.

업계 관계자는 "이번 보도의 사실 여부를 떠나 그만큼 중국이 공격적으로 반도체 시장을 노린다는 게 드러난 것"이라며 "삼성전자의 3개 거점 시설에 대한 대대적인 투자 역시 중국 반도체기업의 메모리반도체 양산이 시작되기 전에 삼성전자 등 국내기업이 선제적으로 보인다"고 말했다.
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