KAIST가 4일 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 기존 DRAM 및 NAND 플래시 메모리를 대체할 수 있는 초저전력 상변화 메모리 소자를 개발했다고 발표했다.

최 교수 연구팀이 개발한 메모리 소자는 저렴한 공정 비용과 초저전력 동작을 가능하게 하며, 뉴로모픽 컴퓨팅에도 적용 가능해 특히 의미있다. 기존 상변화 메모리의 높은 제작 비용과 소모 전력 문제를 극복하기 위해, 연구팀은 전기적으로 극소 형성하는 방식으로 나노미터 스케일의 상변화 필라멘트를 자체적으로 형성하는 새로운 접근 방식을 채택했다. 이로 인해 생산 비용을 대폭 절감하고, 소비 전력을 크게 낮출 수 있었다.

이번 연구는 디램과 낸드 플래시의 장점을 결합한 차세대 메모리로, 빠른 속도와 비휘발성을 동시에 제공한다. 특히 기존 상변화 메모리 대비 15배 이상 낮은 전력 소모량과 값비싼 초미세 노광공정이 필요없어 제조비용과 에너지 효율이 크게 개선됐다. 문제를 해결한 것 외에도, 물질 선택의 자유도를 높여 다양한 응용 가능성을 연 것으로 평가 받는다.

연구는 '네이처' 4월호에 게재되었으며, 한국연구재단 및 나노종합기술원 등의 지원을 받아 수행되었다. 연구진은 "이번 성과가 미래 전자공학 및 인공지능 기술 발전에 중요한 기반이 될 것으로 기대한다"고 밝혔다.