SK하이닉스가 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM) 12단 신제품 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 26일 HBM 최대 용량인 36GB를 구현한 HBM3E 12단 신제품 양산을 시작했다고 알렸다. 이전 최대 용량 HBM은 HBM3E는 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB다.

양산 제품은 연내 고객사에 공급할 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아에 납품한 바 있다.

SK하이닉스는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이번 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽처리장치(GPU)로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있다.

이번 신제품은 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층했다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만든 뒤 수직으로 쌓았다. 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용함으로써 해결했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다.

SK하이닉스 김주선 사장은 "독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다"며 "AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 이어가겠다"고 말했다．