SK하이닉스의 첫 번째 반도체 생산라인(팹,Fab) 건축 공사가 본격 시작됐다.

25일 SK하이닉스에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹(fab·반도체 생산공장)을 본격 착공했다. 당초 다음달 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었지만, 용인시가 지난 21일 신속하게 건축 허가를 내주면서 착공 시점을 앞당겼다.

용인 반도체 클러스터는 용인시 처인구 원삼면 일대 총 415만㎡(약 126만 평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평으로 조성되는 반도체 산업단지다. 이는 지난 2019년 2월 120조 투자 규모를 발표한 이후 6년 만에 착공한 것이다.

SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.

SK하이닉스는 용인 클러스터를 HBM(고대역폭메모리)을 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도한다는 방침이다.

SK하이닉스는 또 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹은 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로, 이를 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원한다는 방침이다.

SK하이닉스 측은 "클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정"이라고 설명했다.