장태수 SK하이닉스 부사장이 "D램 기술 주도권을 확보해 초기 프리미엄 시장의 수요를 선점하겠다"는 계획을 내놨다.

장 부사장은 20일 공개된 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 이같이 밝혔다. 이날 SK하이닉스는 장 부사장이 전날 대한상공회의소에서 열린 '제52회 상공의 날' 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 공개했다.

장 부사장은 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 공로로 이번 상을 받았다.

10나노급 공정은 가장 미세화된 기술로 평가되는데 회로 선폭에 따라 '1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c, 1d' 등 세대로 나뉜다. 이 중 1c 공정은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 기술로 꼽힌다.

장 부사장은 이번 성과에 대해 "세계 최초, 최단 기간 내 (1c DDR5) 개발을 통해 SK하이닉스가 먼저 기술 주도권을 확보했다"고 자평했다.

그러면서 "초고속·저전력 제품을 고객에게 공급하고 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점할 수 있다"며 "그런 만큼 이 기술을 가장 먼저 개발하는 것은 중요한 의미가 있다"고 설명했다.

그는 또 이번 기술을 토대로 고대역폭메모리(HBM) 성능까지 대폭 개선할 수 있다고 자신했다.

장 부사장은 "동일 면적의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 확보 가능하다"며 "여유 공간도 생겨 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수 있다"고 강조했다.

장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다.

그는 "데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적 확보를 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력 중"이라며 "데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류 최소화를 위해 구조 혁신에도 힘쓰고 있다"고 전했다.