SK하이닉스와 마이크론이 잇달아 HBM4 샘플을 출하하며 선공에 나선 가운데, 삼성전자는 아직 공급에 나서지 못한 후발주자지만 더 앞선 공정 기술로 반격을 노리고 있다.

12일 반도체 업계에 따르면, 미국 마이크론은 지난 10일(현지시간) 36GB 용량의 HBM4 12단 제품을 주요 고객사에 공급했다고 발표했다. 고객사는 엔비디아를 포함한 글로벌 빅테크로 추정된다. 이는 지난 3월 업계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 데 이어 두 번째다.

마이크론은 해당 제품이 초당 2.0테라바이트(TB)의 속도를 구현하고, 5세대 HBM3E 대비 전력 효율을 20% 이상 개선했다고 설명했다. 2048비트 인터페이스를 채택한 5세대(1b) D램 공정 기반으로, 성능은 최대 60% 향상됐다는 설명이다.

선공에 나선 SK하이닉스는 HBM 수요 급증에 힘입어 사상 최대 실적이 점쳐지고 있다. 현재 SK하이닉스는 엔비디아의 최신 인공지능(AI) 반도체 '블랙웰(GB200)'에 HBM3E 8단·12단 제품을 단독 공급 중이다.

미국 금융증권사 모건스탠리는 GB200의 5월 출하량이 2000~2500대로, 지난 4월 출하량(1000~1150대)보다 약 2.5배 증가했다고 추정했다. 6월에도 출하량이 더 늘어날 것으로 전망했다.

하반기 출시 예정인 엔비디아의 고성능 AI 반도체 '블랙웰 울트라(GB300)' 수요도 급증하고 있다. SK하이닉스는 GB300에 들어가는 HBM3E 12단 제품 역시 단독으로 공급하고 있다.

게다가 고성능 HBM 채택 확산에 따라 평균판매가격(ASP)도 상승세다. 김동원 KB증권 연구원은 "엔비디아 블랙웰을 중심으로 HBM 주요 주문이 HBM3E 8단에서 12단 으로 이동하고 있고, HBM4는 하반기 샘플 공급을 시작해 내년 1분기 양산이 예상된다"며 "올해 HBM ASP는전년 대비 21% 오른 GB당 1.8달러 수준이 될 것"이라고 전망했다.

이런 가운데 삼성전자는 메모리 3사 가운데 가장 늦게 HBM4 샘플 공급에 나섰지만, 한 세대 앞선 6세대(1c) D램 공정을 무기로 기술 차별화에 나설 계획이다. SK하이닉스와 마이크론이 1b 공정을 적용한 것과 달리, 삼성은 더 정밀한 1c 공정을 채택해 성능과 전력 효율 면에서 우위를 노리고 있다.

D램 공정은 세대가 올라갈수록 회로 선폭이 더 미세해져 같은 크기에서 성능은 높아지고 전력 소모는 줄어든다. 쉽게 말해 더 정교한 기술로 더 좋은 제품을 만들 수 있다는 뜻이다. 업계 관계자는 "공급 시점은 늦었지만, 삼성의 1c 공정이 수율과 품질을 확보하면 기술 경쟁력에서 반전을 노릴 수 있다"고 말했다.