삼성전자와 SK하이닉스가 중국 메모리 업체들의 D램 기술 추격에 맞서 첨단 장비 도입과 생산 전략 조정에 나서며 '투트랙 전략'을 강화하고 있다. 축소 방침이던 구형D램 생산을 다시 늘려 수요 변화에 대응하는 동시에 기술 투자에도 속도를 내며 기술 경쟁력 확보에 총력을 기울인다는 방침이다.

4일 업계에 따르면 국내 반도체 기업들이 최첨단 EUV(극자외선) 장비를 도입하며 D램 기술 고도화에 집중하고 있다. SK하이닉스는 최근 첨단 D램 SK하이닉스는 메모리 업계 최초로 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입했다. 하이 NA EUV는 기존 EUV보다 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비로 2나노 이하 시스템반도체와 10나노 이하 메모리 반도체 생산에 필수적이다. 앞서 삼성전자는 올 초 연구용으로 하이NA 장비를 구내에 들여온 바 있다.

국내 기업들의 이 같은 행보는 중국 메모리 업체들의 추격을 견제하기 위한 목적이다. 한국 기업은 D램 시장에서 아직 우위를 점하고 있다. 올 2분기 SK하이닉스는 38.7%의 점유율로 1분기에 이어 두 분기 연속 1위를 기록했다. 삼성전자는 32.7%로 직전 분기 대비 점유율이 1%포인트 소폭 하락하는 데 그쳤다.

다만 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 빠른 성장세를 보이며 업계에 긴장감을 불러일으키고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치는 CXMT의 D램 시장 점유율이 올해 연간 7%를 기록한 뒤 오는 2027년에는 10%까지 성장할 것으로 전망했다.

지난해 말에는 CXMT가 최신 D램 메모리인 DDR5를 선보이며 시장에서 존재감을 키웠다. 또한 내년 출시를 목표로 4세대 고대역폭메모리(HBM) 샘플을 테스트 중인 것으로 알려졌다.

이러한 상황에서 삼성전자와 SK하이닉스는 점진적으로 생산을 중단한다고 발표했던 DDR4 생산을 2026년까지 연장하며 시장 점유율 방어 전략을 꾀하는 모습이다. 메모리 빅3(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)모두 당초 DDR4 생산 축소 계획을 내놨으며 중국 CXMT 또한 DDR5전환을 가속하자 DDR4의 공급 우려가 커지며 가격이 급등했기 때문이다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 DDR4 '16GB 2Gx8' 가격은 지난 6월 DDR5 '16GB 2GxB' 가격을 넘어선 뒤 3개월째 가격 역전 현상을 이어가고 있다. 당시 DDR4가 7.01달러, DDR5가 5.85달러였으나 지난 8월 각각 8.59달러, 6.17달러를 기록하며 제품 간 가격 격차가 더 벌어졌다.

DDR5가 DDR4보다 전송 속도가 약 2배 빠르고 전력효율도 30%가 높음에도 불구하고 DDR4 가격이 더 비싼 것은 이례적인 일이라는 평가가 따른다. 일각에서는 공급 부족 우려에 따른 일시적 수요 쏠림 현상이기에 곧 해소될 것이라는 시각도 제기된다.

이종환 상명대 시스템반도체학과 교수는 "D램은 수요 사이클이 뚜렷하다. DDR4의 경우 올해까지 수요가 이어지고 내년에는 둔화될 가능성이 있다"라며 "삼성전자와 SK하이닉스가 내년까지 DDR4 생산을 연장하겠다고 했지만 상황에 따라 감산하며 조율하면 될 부분"이라고 말했다. 이어 "중국 메모리 업체와의 D램 기술 격차를 벌리기 위해서는 10나노 공정보다 초미세 공정 패턴 구현 능력이 관건"이라고 덧붙였다.