삼성전자가 4분기 역대 최대 매출과 분기 기준 최대 영업익을 기록한 가운데 차세대 공정 개발과 수주 확대에 속도를 내고 있다. 2나노(nm·10억분의 1m) 1세대 신제품 양산에 본격 돌입한 데 이어 2나노 2세대 공정도 하반기 양산을 목표로 개발을 진행하고 있다. 아울러 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 내달 출하 일정을 제시하며 메모리 경쟁력 회복에 대한 자신감도 내비쳤다.

삼성전자는 29일 실적 발표 컨퍼런스콜을 통해 "2나노 2세대 공정은 하반기 양산을 목표로 현재 수율 및 성능 목표를 달성하는 개발이 진행 중"이라며 "현재 주요 고객사들과 제품 설계를 위한 PPA, 테스트 칩 협업을 병행하고 있어 양산 전 단계에서의 기술 검증도 계획대로 진행 중"이라고 말했다.

이어 "1.4나노 공정은 2029년 양산을 목표로 주요 마일스톤을 계획대로 달성하며 개발 진행 중"이라고 덧붙였다.

미국 테일러 팹의 경우 올해 적기 가동을 위해 구축을 진행 중이라고 설명했다.

수주 측면에서도 긍정적인 흐름이 이어지고 있다. 삼성전자는 "모바일과 HPC 고객을 중심으로 제품 및 사업화 협업 논의가 진행 중"이라며 "특히 AI·HPC 응용처를 중심으로 올해 2나노 수주 과제는 전년 대비 130% 이상 확대될 것으로 기대한다"고 밝혔다.

HBM4 출하 계획과 관련해서는 "2월부터 HBM4 물량의 양산 출하를 예정하고 있다"고 언급했다.

삼성전자는 "HBM4는 기술 경쟁력을 강화하고자 개발 착수 단계에서부터 높은 성능 목표를 설정했다"며 "고객사들의 요구 성능이 높아졌음에도 지난해 샘플 공급 이후 재설계 없이 순조롭게 고객 평가를 진행 중"이라고 말했다.

또 "현재 퀄 테스트(품질검증) 완료 단계에 진입했다"며 "2월부터 최상위 제품인 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량의 양산 출하가 예정되어 있다"고 설명했다.

올해 HBM 사업 전망에 대해서도 언급했다. 삼성전자는 "현재 준비된 생산 능력에 대해서는 고객들로부터 전량 주문 확보를 완료했다"며 "올해 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 대폭 개선될 것으로 전망한다"고 했다.

아울러 "주목할 점은 공급 확대 노력에도 불구하고 주요 고객사들의 올해 HBM 수요가 당사의 공급 규모를 넘어서고 있다는 점"이라며 "급증하는 AI 수요 환경에서 HBM 공급 대응력을 지속적으로 높일 예정"이라고 전했다.

올해 전망에 대해서는 AI 응용 수요 강세가 이어질 것이라고 내다봤다. 삼성전자는 "AI 응용에서는 고성능 고용량 제품 확보가 필수적"이라며 "기술적 요구를 실현하기 위한 선단 공정 확보가 D램과 낸드플래시 분야에서 매우 중요해질 것으로 전망하고 있다"고 했다. 이어 "올해 D램은 1c 나노미터 공정, 낸드는 V9 공정을 중심으로 선단 공정 캐파를 확대해 나갈 것"이라고 덧붙였다.