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삼성전자, GTC서 HBM4E 첫 공개…엔비디아 ‘베라 루빈’ 겨냥

'토털 솔루션'으로 엔비디아와 AI 동맹 고도화
1c D램·4나노 기반 HBM4E 공개

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삼성전자 2026 GTC 부스 현장./삼성전자
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삼성전자 HBM4 제품./삼성전자

삼성전자가 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술을 선보인다. 이와 함께 엔비디아 AI 플랫폼 ‘베라 루빈’ 을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI 시장 공략에 나선다는 전략이다.

 

삼성전자는 이날부터 19일까지 열리는 엔비디아 개발자 행사 GTC(GPU Technology Conference)행사에서 차세대 HBM 기술과 AI 인프라용 메모리 솔루션을 선보였다고 밝혔다.

 

삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 히어로 월(Hero Wall)’을 별도로 꾸리고 HBM4부터 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징까지 종합반도체 기업(IDM)으로서의 경쟁력을 집중 부각했다. 

 

전시 공간을 ▲AI 팩토리즈(AI Factories, AI 데이터센터) ▲로컬 AI(Local AI, 온디바이스 AI) ▲피지컬 AI(Physical AI) 세 개로 나눠 GDDR7(그래픽용 D램), LPDDR6(저전력 D램), PM9E1(솔리드스테이트드라이브) 등 차세대 메모리 아키텍처도 함께 소개한다.

 

삼성전자는 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다. HBM4E는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 베이스 다이 설계를 기반으로 개발 중이며 핀당 최대 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

 

이와함께 차세대 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술도 함께 소개됐다. 이 기술은 기존 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상의 고적층 HBM 구현을 지원하는 기술이다.

 

삼성전자 관계자는 "종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획"이라고 전했다.

삼성전자 SOCAMM2 제품./삼성전자

삼성전자는 엔비디아 차세대 AI 플랫폼인 '베라 루빈(Vera Rubin)'을 겨냥한 메모리 솔루션도 선보였다.

 

삼성전자는 '엔비디아 갤러리'를 별도로 구성하고 ▲루빈 첨단 그래픽처리장치(GPU)용 HBM4 ▲베라 중앙처리장치(CPU)용 저전력 메모리 모듈 소캠2(SOCAMM2) ▲스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시하며 양사의 협력을 강조했다. 

 

특히 소캠2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 삼성전자는 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 또 PCIe 6세대(Gen6) 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 주력 스토리지로 제시됐다. 

 

삼성전자 관계자는 "차세대 HBM과 메모리 솔루션을 통해 AI 인프라 시장에서 기술 경쟁력을 강화해 나갈 것"이라고 말했다.

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