D램 가격이 급등세인 가운데 삼성전자가 HBM4 로직 다이 가격까지 인상한 것으로 전해졌다. 반도체 가격 상승 흐름이 메모리를 넘어 비메모리 영역으로 확산되는 양상이다. 삼성전자는 수요 확대와 맞물려 투자 역시 빠르게 확대하고 있다.

16일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리는 4나노(나노미터·10억분의 1m) 공정으로 생산되는 HBM4용 로직다이 가격을 올 들어 기존 대비 약 40~50% 인상한 것으로 알려졌다. 로직다이는 HBM4의 '두뇌' 역할을 하는 핵심 칩이다. 삼성전자는 HBM4 출하 확대와 맞물려 로직다이 수요도 함께 증가해 가격 협상력을 확보한 것으로 관측된다.

업계에서는 이 같은 흐름을 두고 삼성전자의 4나노 등 주요 생산 라인이 사실상 풀가동 상태에 접어든 것으로 내다보고 있다. 이에 따라 파운드리부문의 전반적인 수익성도 개선 흐름을 보일 것으로 분석된다.

삼성전자는 D램 가격 또한 올해 2분기 인상을 단행하며 상승 흐름을 이어갔다. 앞서 1분기 큰 폭의 가격 인상에 이어 2분기에는 전분기 대비 평균 약 30% 인상된 수준으로 계약을 체결한 것으로 전해졌다.

이러한 가격 상승세는 시장 전반에서 나타나고 있다. 대만 TSMC 역시 올해 5·4나노 이하 전 공정에서 가격을 인상한 것으로 파악됐다. 수요 증가가 이어질 경우 추가적인 가격 인상 가능성도 배제할 수 없다는 의견이 우세하다.

가격 상승 흐름과 수요 확대에 맞물려 투자도 확대되는 모습이다. 삼성전자는 평택 P4 라인 장비 발주에 착수하며 10나노급 6세대(1c) D램 투자도 본격 실행 단계에 진입했다. 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 최근 에스티아이, 씨앤지하이트크, 와이씨 등이 삼성전자와 반도체 장비 공급 계약을 체결한 것으로 확인됐다.

삼성전자의 이번 투자는 당초 계획했던 파운드리나 낸드플래시 대신 차세대 D램 생산능력 확충에 우선순위를 둔 것으로 풀이된다. 차세대 제품인 HBM4가 기존보다 더 미세한 공정을 요구하면서 10나노급 6세대(1c) D램의 중요성이 커지고 있기 때문이다. 1c D램은 HBM에 적용되며 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 속도를 높이는 고성능 메모리로 꼽힌다.

삼성전자는 평택 신규 라인 증설에 이어 기존 화성 P3라인과 17라인의 공정 전환도 병행한다는 방침이다. 이를 통해 구형 공정을 최첨단 1c 공정으로 업그레이드해 전체적인 생산 효율을 극대화한다는 계획이다.

앞서 지난달에는 '기업가치 제고 계획' 공시를 통해 올해 역대 최대 규모인 110조원 투자(시설·R&D) 계획을 확정한 바 있다. 이는 지난해(90조4000억원) 대비 약 21.6% 증가한 액수로 창사 이래 최대다.

이종환 상명대 교수는 "삼성전자가 로직 다이 가격을 인상한 것은 TSMC로 물량이 집중된 상황에서 대체 생산 수요를 일부 흡수할 수 있다는 판단이 반영된 것으로 보인다"라며 "AI 반도체 수요가 강하게 유지되면서 HBM 생산이 빠르게 확대되고 있어, 당분간 공급자 우위 시장이 이어질 것"이라고 말했다.