삼성전자·SK하이닉스, 서버용 DDR4 D램 시장 공략 나선다

DDR4 시대 개막…서버용 제품 고성장 전 세계 메모리 반도체 시장 주도권 강화 삼성전자와 SK하이닉스가 최근 DDR3에서 DDR4로 빠르게 진화하고 있는 D램 시장에서의 주도권을 강화할 제품을 내놨다. DDR(double data rate)이란 D램 반도체의 동작속도 규격으로, DDR1에서 DDR4로 진화하면서 매 단계마다 데이터 처리 속도가 2배씩 빨라졌다. 반대로 전력소모는 DDR4가 DDR3보다 35% 줄었다. 시장조사기관 IHS테크놀로지에 따르면 DDR4 D램이 올해 전체 D램 시장에서 2%(출하량 기준)를 점유하고 있다. 2015년에는 11%, 2016년 30%, 2017년 44%, 2018년 49%로 점차 점유율을 끌어올릴 것으로 예상된다. 특히 시장조사기관 가트너도 서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 올해부터 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 것으로 전망했다. 이에 양사는 서버 시장에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품을 통해 메모리 반도체 선도기업으로서의 위상을 더욱 공고히 하겠다는 방침이다. 메모리 반도체 1위 기업인 삼성전자는 세계 최초로 20나노 8기가비트(Gb) DDR4 서버용 D램 양산에 성공했다고 21일 밝혔다. 지난 3월 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 삼성전자는 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번 서버용 D램에까지 20나노 공정을 적용하면서 20나노 D램 전체 라인업을 구축했다. 이 D램은 더 많은 데이터를 더 빨리 처리할 수 있으면서 전력 사용은 낮춘 고성능·고용량·저전력의 제품이다. 이 제품을 기반으로 한 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트로 소비 전력이 더 낮다. 또 기존 4Gb 제품 기반으로는 최대 64기가바이트(GB) 용량의 모듈만 가능하지만 이번 8Gb D램에 메모리를 수직으로 연결하는 TSV 기술을 접목해 최대 128GB의 모듈을 공급할 수 있게 됐다. 이날 SK하이닉스는 세계 최초로 DDR4 D램을 기반으로 한 16GB 서버용 NVDIMM을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 D램에 비휘발성 메모리인 낸드플래시를 결합한 하이브리드 모듈로, 갑자기 전원이 끊겨도 D램의 데이터를 낸드플래시로 전송해 안전하게 저장·복구할 수 있다. 20나노급 4Gb DDR4 D램을 기반으로 해 기존 DDR4 D램 모듈과 동일한 성능을 구현한다. 동작전압 1.2볼트와 2133Mbps의 속도를 구현했으며 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 특히 16GB는 NVDIMM 기준 세계 최대 용량이다.