SK하이닉스, HBM3E 3분기 양산 시작 "내년분도 매진 가깝다"
곽노정 SK하이닉스 대표이사(사장)이 처음 언론에 문을 연 경기 이천 캠퍼스 기자 간담회에서 "차별화한 인공지능(AI) 기술 경쟁력을 앞세워 주요 빅테크 기업을 대상으로 맞춤형 메모리를 공급하고 기술 영토를 넓히겠다"고 밝혔다. SK하이닉스는 2일 경기도 이천시 이천캠퍼스에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략' 주제로 내외신 기자간담회를 열고 향후 AI 반도체 칩 관련 전략을 설명했다. SK하이닉스는 오는 3분기부터 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 본격 양산에 나선다. 현재 HBM 시장에서 확보한 세계 1위 점유율을 HBM3E로 확실시 해 경쟁사와 간격을 벌리겠다는 목표다. SK하이닉스에 따르면 HBM은 올해 완판한 상태로 내년 공급분도 매진에 가까워지고 있다., 곽 대표이사는 "현재 AI는 데이터센터 중심이나 곧 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스(On-Device AI)로 확산할 것"이라며 "AI에 특화된 '초고속, 고용량, 저전력' 메모리 수요가 폭발적으로 늘 것으로 보인다. SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다"고 밝혔다. SK하이닉스는 2013년 12월 업계 최초 TSV(실리콘 관통전극) 기반 HBM 제품으로 차세대 패키지 기술을 선보였다. 2개 이상 칩을 수직으로 관통하는 전극을 통해 성능은 크게 개선하고 크기는 대폭 줄인 신기술은 SK하이닉스의 1위를 수성케 했다. 올해 글로벌 시장조사기관 트렌드포스가 내놓은 자료에 따르면 HBM 시장점유율 1위 기업으로 전체의 53%를 차지한다. 2위는 삼성전자(38%), 3위는 마이크론(9%)으로 한참 앞섰다. AI인프라 담당 김주선 사장은 "AI 반도체 광풍이 산업 구조의 급격한 패러다임 전환을 일으키고 있다"며 "SK하이닉스는 D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다"고 설명했다. 또 "낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 쿼드레벨셀(QLC) 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다"며 기술에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션, PIM(Processing-In-Memory) 등 혁신적인 메모리 개발을 통해 미래 시장도 압도적인 점유율을 지속 확보 할 계획이다. 생성형 AI 열풍과 함께 찾아온 반도체 수요는 최근 산업 구조에 급격한 패러다임 전환이 이뤄지고 있다며 HBM뿐만 아니라 고용량 D램을 비롯한 차세대 제품 개발 현황을 전했다. 그는 "D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다"며 "낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 쿼드레벨셀(QLC) 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다"고 강조했다. 이날 SK하이닉스의 신규 팹(FAB,fabrication facility) 계획도 밝혔다. SK하이닉스는 청주 M15X 공장을 당초 낸드플래시 공장으로 계획했으나 D램용으로 변경하기로 했다. 총 투자금액은 20조원이다. 제조기술 담당 김영식 부사장은 "지난달 건설 공사에 착수했으며, 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획"이라고 했다. M15X는 연면적 6만3000평 규모의 복층 팹(반도체 생산시설)로, 현재 HBM을 생산하는 M15팹과 나란히 지어질 예정인 만큼 생산 효율 극대화에 기여할 것으로 기대된다. 용인 클러스터는 차세대 메모리 개발 및 생산기지로 활용될 예정으로 415만㎡(약 126만평) 부지에 총 4기 팹을 지을 예정인데, 먼저 첫 팹은 내년 3월에 공사 착수해 2027년 5월 준공할 예정이다. 다만 패키징 작업은 현재 고려하지 않고 있다. 인디애나 패키징 시설은 한 패키징 및 연구개발 시설은 미국 빅테크 등 현지 고객들에 공급될 HBM을 패키징할 예정이다. /김서현기자 seoh@metroseoul.co.kr
